[发明专利]紫外发光二极管器件的制备方法

摘要

本发明提供了一种紫外发光二极管器件的制备方法。该紫外发光二极管器件的制备方法通过AlGaN电子阻挡层205和p型AlGaN层206的总厚度小于该电极层最底层金属层的金属材料的等离激元耦合距离的方式有效精确控制有源区到金属等离激元的距离，消除了工艺工程中对有源区造成损伤的风险，提高了紫外发光二极管器件发光效率。

主权项

一种紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤A：在基底(201)上生长紫外发光二极管外延结构，该紫外发光二极管外延结构自下而上包括：AlN缓冲层(202)、n型AlGaN层(203)、AlGaN有源区(204)、AlGaN电子阻挡层(205)、p型AlGaN层(206)；步骤B：从所述p型AlGaN层(206)顶部开始，在预设区域进行刻蚀，刻蚀深度至所述n型AlGaN层(203)，从而在刻蚀区域形成n型AlGaN电极接触表面(208)，在刻蚀区域之外的p型AlGaN层(206)上方形成pn结台面结构(207)；步骤C：在所述pn结台面结构(207)和n型AlGaN电极接触表面(208)的表面沉积介质层(209)，并在pn结台面结构(207)上方形成贯穿介质层(209)的通孔(210)，其中，该介质层的材料为In_xGa_1‑xN材料不易在其上生长的材料，其中0≤x≤1；步骤D：在所述pn结台面结构(207)上，利用所述介质层(209)做选区二次外延的掩膜，在通孔(210)中生长p型电极接触层(211)，该p型电极接触层(211)的材料为In_xGa_1‑xN，其中0≤x≤1；步骤E：去除全部的介质层(209)；步骤F：在所述n型AlGaN电极接触表面(208)上定义出n型电极图形，在该n型电极图形的区域形成n型接触电极(212)；步骤G：在所述p型电极接触层(211)表面定义出p型电极图形，在该p型电极图形的区域形成p型接触电极(213)；步骤H：在器件上表面沉积电绝缘层(214)，在该电绝缘层(214)中，所述n型接触电极(212)和p型接触电极(213)上方，经刻蚀分别形成电极窗口区(215)；以及步骤I：在所述电极窗口区(215)形成包含多金属层的电极层(216)，其中，所述AlGaN电子阻挡层(205)和p型AlGaN层(206)的总厚度小于该电极层最底层金属层的金属材料的等离激元耦合距离，完成紫外发光二极管器件的制备。