[发明专利]工艺腔室检测装置及检测工艺腔室中工艺环境的方法有效
| 申请号： | 201410180605.3 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN105097603B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 赵可可 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种工艺腔室检测装置及检测工艺腔室中工艺环境的方法，在工艺腔室中设置有检测工艺腔室中工艺环境的装置，所述装置包括检测器和检测电路；检测电路包括稳压电源和测试电阻，稳压电源的一端接地，稳压电源的另一端与测试电阻的一端电连接；测试电阻的另一端与检测器电连接；检测器置于工艺腔室的腔体的内部，检测器用于检测所述工艺腔室内的离子流密度。检测工艺腔室中工艺环境的方法的工作步骤如下：开始工艺，在工艺腔室中激发产生等离子体后，测量所述测试电阻两端的电压；然后根据测得的所述电压计算工艺腔室内离子流的密度，与离子流的密度的正常值范围进行比对。本发明的工艺腔室和方法达到实时检测腔室中工艺环境的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 检测 环境 方法 | ||
【主权项】：
1.一种工艺腔室检测装置，其特征在于，在所述工艺腔室中设置有检测所述工艺腔室中工艺环境的装置，所述装置包括检测器和检测电路；所述检测电路包括稳压电源和测试电阻，所述稳压电源的一端接地，所述稳压电源的另一端与所述测试电阻的一端电连接；所述测试电阻的另一端与所述检测器电连接；所述检测器置于所述工艺腔室的腔体的内部，所述检测器用于检测所述工艺腔室内的离子流密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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