[发明专利]表面有微纳米离子化合物膜的氮化铝陶瓷片及其制备工艺有效
| 申请号： | 201410180448.6 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103964897A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 崔国峰;赵杰 | 申请（专利权）人： | 惠州市力道电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑莹 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市大亚*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了表面有微纳米离子化合物膜的氮化铝陶瓷片，其在氮化铝陶瓷表面上或部分表面上设有一层离子化合物膜。该氮化铝陶瓷片的制备工艺，包括步骤：1）将氮化铝陶瓷片浸入硝酸溶液中处理，处理完成后清洗干净，然后浸入偏铝酸盐溶液中处理，处理完成后清洗干净；2）将清洗干净的陶瓷片烧结至其表面生成氧化铝膜；或者在陶瓷片表面溅射氧化铝或氮化钽即可。一种高导热基板，其在表面有微纳米离子化合物膜的氮化铝陶瓷片表面上依次设有缓冲层、第一导电层、第二导电层。本发明的氮化铝陶瓷片，其表面上或部分表面上有一层离子化合物膜，在此结构的氮化铝陶瓷片表面进行金属化后，金属层同氮化铝陶瓷片的结合力大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 纳米 离子 化合物 氮化 陶瓷 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
表面有微纳米离子化合物膜的氮化铝陶瓷片，其特征在于：其在氮化铝陶瓷表面上或部分表面上设有一层离子化合物膜，所述的离子化合物膜的厚度为0.1‑100nm。
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