[发明专利]一种P型硅衬底背面接触式太阳电池结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种基于P型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法。P型硅衬底受光面设置有一层以上减反射层的叠层结构；P型硅衬底背光面为相互交替的P型层部分与N型层部分，P型层部分依次为P型硅衬底、减反射层，以及穿透减反射层与P型硅衬底接触的电极；N型层部分依次为P型硅衬底、N型晶硅层、减反射层，以及穿透减反射层与N型晶硅层连接的电极。本发明可以兼容传统晶硅生产线，可以经过升级改造实现背接触太阳电池的生产，相对于传统晶硅太阳电池，避免常规太阳电池正面电极遮光的问题，降低金属电极的使用量，提高了太阳电池的效率；并且相对于传统HIT电池、IBC太阳电池，不但制备工艺简单，设备成本也很低。

主权项

一种P型硅衬底背面接触式太阳电池结构的制备方法，其特征在于，所述的P型硅衬底背面接触式太阳电池结构，P型硅衬底受光面设置有正面减反射层的叠层结构；P型硅衬底背光面为相互交替的P型层部分与N型层部分，P型层部分依次为P型硅衬底、背面减反射层，以及穿透背面减反射层与P型硅衬底接触的电极；N型层部分依次为P型硅衬底、N型晶硅层、背面减反射层，以及穿透背面减反射层与N型晶硅层连接的电极；N型晶硅层厚度为0.2μm，正面减反射层厚度为80nm，背面减反射层厚度为120nm；正面减反射层为SiOx/ SiNx的叠层结构，背面减反射层为Al2O3/SiNx的叠层结构；所述的P型硅衬底背面接触式太阳电池结构的制备方法为：（1）在制绒后的硅衬底背光面进行局部N型掺杂形成N型晶硅层，使得N型晶硅层与P型硅衬底相互交替分布；（2）在受光面和背光面分别进行减反射膜沉积；（3）电极制备及烧结；N型掺杂采用掩膜遮挡离子注入的方法。