[发明专利]多晶硅发射极垂直NPN晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201410179392.2 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105097506B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 胡金节;肖魁 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅发射极垂直NPN晶体管的制造方法，包括下列步骤：在晶圆上形成集电区和基区；淀积绝缘介质层；在绝缘介质层上光刻并刻蚀出发射区域；淀积多晶硅，多晶硅位于所述发射区域的部分与基区的单晶硅直接接触；对晶圆进行热退火；对发射区域的多晶硅进行掺杂；进行热退火使得多晶硅中的杂质扩散到基区的单晶硅中，形成发射结。本发明通过在多晶硅淀积后、掺杂之前的热退火过程中产生的热应力，使得多晶硅和单晶硅界面的薄氧化层断裂，变得更加不连续。这样在后续的发射极杂质退火中，掺杂元素能够更好地扩散，多晶硅和单晶硅界面的氧元素也会有更好的界面态，从而改善晶体管低频下的噪声特性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 发射极 垂直 npn 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅发射极垂直NPN晶体管的制造方法，包括下列步骤：在晶圆上形成集电区和基区；淀积绝缘介质层；在绝缘介质层上光刻并刻蚀出发射区域；淀积多晶硅，位于所述发射区域的多晶硅与基区的单晶硅直接接触；对晶圆进行热退火，退火温度为900～950摄氏度，退火时间为15～30分钟；对发射区域的多晶硅进行掺杂；进行热退火使得多晶硅中的杂质扩散到基区的单晶硅中，形成发射结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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