[发明专利]低温度系数的片上电阻有效
| 申请号： | 201410179256.3 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103926969A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 夏波 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 戴薇 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温度系数的片上电阻，其包括：基底；形成于所述基底上的电阻，其具有第一连接端和第二连接端；形成于所述基底上的开关电容，其包括第一开关、第二开关和电容单元，第一开关的一端与电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电阻的第一连接端相连，第二开关的一端与所述电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电容单元的第二连接端相连；所述电容的第二连接端与所述电阻的第二连接端相连，所述电阻和所述电容单元具有同相的温度系数。通过开关电容与多晶硅、N阱或扩散电阻按比例并联来实现的复合电阻单元，其在整体阻值上体现了低温度依赖性。为需要使用低温度系数电阻的电路设计提供了不需片外电阻和温度补偿算法的简单解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 系数 电阻 | ||
【主权项】：
一种片上电阻，其特征在于，其包括：基底；形成于所述基底上的电阻，其具有第一连接端和第二连接端；形成于所述基底上的开关电容，其包括第一开关、第二开关和电容单元，第一开关的一端与电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电阻的第一连接端相连，第二开关的一端与所述电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电容单元的第二连接端相连，所述电容的第二连接端与所述电阻的第二连接端相连；所述电阻和所述电容单元具有同相的温度系数。
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