[发明专利]一种倒结构聚合物太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201410176215.9 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103956430A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张建军;余璇;于晓明 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种倒结构聚合物太阳电池，由玻璃衬底、掺锡氧化铟透明导电膜、电子传输层、界面修饰层、有机活性层和MoO3/Ag复合电极依次组成叠层结构，其中电子传输层为掺铝氧化锌薄膜，界面修饰层为聚乙烯吡咯烷酮薄膜，有机活性层为聚3-已基噻吩-富勒烯衍生物薄膜。本发明的优点是：采用聚乙烯吡咯烷酮作为倒结构聚合物太阳电池的界面修饰层，使有机活性层材料与无机电子传输层材料之间形成紧密的接触，可有效降低器件的串联电阻并提升并联电阻，使载流子被有效的收集，减少载流子复合，显著提高电池填充因子以及电池的能量转换效率；在不增加成本的前提下，有利于实现商业化大面积生产，从而加快该类型太阳电池的产业化进程，满足社会需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 聚合物 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种倒结构聚合物太阳电池，其特征在于：由玻璃衬底、掺锡氧化铟透明导电膜、电子传输层、界面修饰层、有机活性层和MoO3/Ag复合电极依次组成叠层结构，其中电子传输层为掺铝氧化锌薄膜，界面修饰层为聚乙烯吡咯烷酮薄膜，有机活性层为聚3‑已基噻吩‑富勒烯衍生物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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