[发明专利]一种半导体设备的真空控制系统及真空控制方法无效
申请号: | 201410174560.9 | 申请日: | 2014-04-28 |
公开(公告)号: | CN103966569A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 张航;张海轮;王凯;慕晓航 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C16/44;C21D1/773;C30B33/02 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体设备的真空控制系统,包括抽真空单元和真空调节单元。其中所述抽真空单元包括真空泵,第一管路以及第一开关阀;所述真空泵通过所述第一管路连接至反应腔室,所述第一开关阀设于所述第一管路上。所述真空度调节单元与所述真空泵相连,用于在所述第一开关阀开启时向所述真空泵提供流量可变的导入气体以调节所述真空泵对所述反应腔室的抽真空率。本发明能够节省设备成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体设备 真空 控制系统 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种用于半导体设备的真空控制系统,其特征在于,包括:抽真空单元,包括真空泵,第一管路以及第一开关阀;所述真空泵通过所述第一管路连接至反应腔室,所述第一开关阀设于所述第一管路上;以及真空度调节单元,连接至所述真空泵,用于在所述第一开关阀开启时向所述真空泵提供流量可变的导入气体以调节所述真空泵对所述反应腔室的抽真空率。
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