[发明专利]半导体晶片、封装结构与其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410174317.7 申请日: 2014-04-28
公开(公告)号: CN105023877B 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 郭建利 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/56;H01L23/12
代理公司: 11105 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;TW
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摘要: 发明提供了一种半导体晶片、封装结构与其制作方法。制作封装结构的方法:首先提供一阵列芯片,包含多个第一管芯。接着提供一晶片,包含有多个第二管芯。进行一封装步骤将阵列芯片对应地设置在晶片上,使该各第一管芯对应地电连接各第二管芯。本发明另外还提供了一种半导体晶片结构,以及一种封装结构。
搜索关键词: 封装结构 半导体晶片 第二管 管芯 晶片 阵列芯片 地电 封装 制作 芯片
【主权项】:
1.一种制作封装结构的方法,包含:/n提供一阵列芯片(array chip),包含多个第一管芯(die);/n提供一晶片(wafer),包含多个第二管芯;/n进行一封装步骤将该阵列芯片对应地设置在该晶片上,使各该第一管芯对应地电连接各该第二管芯;/n进行一切割制作工艺同时切割该阵列芯片以及该晶片,以形成一封装结构,其中该封装结构包含:/n一个该第一管芯以及一个该第二管芯,该第一管芯与该第二管芯都包含:/n第一面;/n第二面,与该第一面对应设置;以及/n至少两侧面,设置在该第一面与该第二面之间,所述第一管芯的至少一侧面与所述第二管芯的至少一侧面在与所述第一面或所述第二面垂直的方向对齐;以及/n底部填充层,设置在该第一管芯与该第二管芯之间,覆盖并直接接触该第一管芯的该第一面与该第二管芯的该第二面,且该第一管芯的至少一个该侧面被该底部填充层覆盖。/n
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