[发明专利]应用于晶圆级半导体器件的散热结构

摘要

本发明公开了一种应用于晶圆级半导体器件的散热结构，包括与所述晶圆级半导体器件连接的至少一散热壳体，所述晶圆级半导体器件包括晶圆级基片及由生长在所述基片一面上的外延层直接加工形成的复数功能单胞，所述散热壳体内设有可储纳导热介质的空腔，且至少所述晶圆级半导体器件一面的至少与所述功能单胞相应的局部区域暴露于所述空腔内。优选的，至少所述晶圆级半导体器件的暴露于所述空腔内的一面的局部区域上分布有散热机构。本发明具有结构简单，易于组装维护、低成本等特点，可使晶圆级半导体器件具有最短散热途径和最大散热效能，从而提高其工作稳定性，延长其使用寿命。

主权项

一种应用于晶圆级半导体器件的散热结构，其特征在于包括与所述晶圆级半导体器件连接的至少一散热壳体；其中所述晶圆级半导体器件包括：直径在2英寸以上的晶圆级基片，形成于基片表面且并联设置的多个串联组，每一串联组包括串联设置的多个并联组，每一并联组包括并联设置的多个功能单胞，其中每一功能单胞均是由直接外延生长于所述基片表面的半导体层加工形成的独立功能单元，以及导线，其至少电性连接于每一串联组中的一个选定并联组与所述半导体器件的一个电极之间和/或两个选定并联组之间，用以使所有串联组的导通电压一致；其中，形成于基片表面的所有功能单胞中的部分功能单胞为正常单胞，其余为冗余单胞，所有正常单胞被排布为并联设置的多个多级单元组，任一多级单元组包括串联设置的多个第一并联组，并且任一多级单元组中选定的M个第一并联组还与N个第二并联组串联形成一串联组，任一第一并联组包括并联设置的多个正常单胞，任一第二并联组包括并联设置的多个冗余单胞，M为正整数，N为0或正整数,所述散热壳体内设有可储纳导热介质的空腔，且至少所述晶圆级半导体器件一面的至少与所述功能单胞相应的局部区域暴露于所述空腔内。