[发明专利]一种用于制备太阳电池的硅片磷铝联合变温吸杂方法

摘要

一种用于制备太阳电池的硅片磷铝变温吸杂方法，步骤如下：将衬底硅片依次进行去损伤层、超声清洗后，在硅片正反两面先涂覆磷源，再蒸镀铝膜；然后采用氮气气氛保护下热处理依次进行一次吸杂、二次吸杂；冷却至室温后，放入氢氟酸和硝酸的混合液中腐蚀以去除吸杂层即可。本发明的优点是：该吸杂方法在磷铝吸杂基础上引入变温工艺，通过不同温度对吸杂的各个过程实现有效控制，充分利用磷吸杂和铝吸杂各自的优势；工艺简单易于实现，无需增加其他设备；吸杂效果明显，经吸杂处理后，硅片少子寿命有明显提升，同时在满足吸杂效果的前提下减少了工艺周期。

主权项

一种用于制备太阳电池的硅片磷铝变温吸杂方法，其特征在于包括以下步骤：1）去损伤层：配制浓度为10‑15wt%的NaOH溶液，采用水浴加热的方式使溶液恒温在80℃，将衬底硅片放入溶液中8‑15min以去除由于线锯切割硅片所导致的硅损伤层，将硅片取出后用去离子水清洗3min；2）清洗：将上述去损伤层的硅片放入25℃的丙酮溶液中超声清洗5min，取出后用去离子水清洗3min，然后再将样品放入25℃的无水乙醇中超声清洗5min，取出后用去离子水清洗3min，用氮气吹干备用；3）涂覆磷源：将上述清洗后的硅片吸附在匀胶机上，通过旋涂的方式在硅片正反两面涂覆厚度为1‑2μm的磷源，匀胶机转速为1500‑2200 r/min，旋涂时间为20‑30s，然后放入热处理炉中干燥，干燥温度为100‑150℃，干燥时间为10‑15min；4）蒸镀铝膜：将双面涂覆有磷源的硅片放置于真空镀膜机中，在620‑700℃温度下在其正反两面蒸镀一层厚度为0.5‑2μm的铝膜；5）一次吸杂：将上述蒸镀铝膜后的硅片放入热处理炉中在氮气气氛保护下进行热处理，热处理温度为850‑950℃，热处理时间为25‑65min；6）二次吸杂：将一次吸杂后的硅片放入氮气气氛保护下热处理，热处理温度为700‑800℃，热处理时间为40‑80min；7）将二次吸杂后的硅片冷却至室温后，放入浓度为49wt%的氢氟酸和浓度为65wt%的硝酸的混合液中腐蚀以去除吸杂层，氢氟酸和硝酸的混合液中氢氟酸与硝酸的体积比为1:2‑4，腐蚀时间为40‑70s。