[发明专利]一种设计磁盘阵列的方法和存储装置

摘要

本发明实施例提供一种设计磁盘阵列的方法和存储装置，磁盘阵列包括多个磁盘，磁盘具有高性能区域和高容量区域，确定磁盘阵列单盘容量，以及确定磁盘阵列中磁盘的数量；将每一个磁盘的扇区划分为磁盘内圈区域和磁盘外圈区域，内圈区域是高容量区域，外圈区域是高性能区域，条带化后形成高容量的条带化单位和高性能的条带化单位；依据不同磁盘阵列组合原理对所有磁盘中的高容量的条带化单位进行组合形成高容量阵列区，对所有磁盘中的高性能的条带化单位进行组合形成高性能阵列区；在磁盘阵列控制器的各磁盘I/O原始队列前增加一个分类的双缓冲队列，双缓冲队列中的每一个缓冲队列基于反馈算法控制该缓冲队列中的I/O访问到达原始队列的速率。

主权项

1.一种设计磁盘阵列的方法，其特征在于，磁盘阵列包括多个磁盘，磁盘具有高性能区域和高容量区域，方法包括：确定磁盘阵列中磁盘的单盘容量n，以及确定磁盘阵列中磁盘的数量N；根据区域数据记录技术将每一个磁盘的扇区划分为磁盘内圈区域和磁盘外圈区域，磁盘内圈区域是高容量区域，磁盘外圈区域是高性能区域，通过对高容量区域和高性能区域的扇区进行条带化，形成高容量的条带化单位和高性能的条带化单位；依据不同的磁盘阵列组合原理对磁盘阵列的所有磁盘中的高容量的条带化单位进行组合形成高容量阵列区，以及对所有磁盘中的高性能的条带化单位进行组合形成高性能阵列区，包括：将第一层逻辑卷再进行一次条带化操作得到高性能阵列区的第二层逻辑卷LV的LBA地址表示范围为LBA(1,NL/6)，根据RAID0原理进行组合之后，整个高性能阵列区的逻辑卷的LBA最终映射到每一块磁盘上的LBA地址均在LBA(1,L/3)之内，所有的读写操作均在相当于磁盘总容量1/3的磁盘外圈区域；采用RAID5原理对各个磁盘的高容量区域条带化形成多个条带化单位作为第一层逻辑卷；根据RAID0原理对第一层逻辑卷进行组合之后，整个高容量阵列区的第二层逻辑卷的LBA映射到每一块磁盘上的LBA地址均在LBA(L/3+1,L)之内，所有的读写操作均在相当于磁盘总容量2/3的内圈部分；其中，N是磁盘阵列中磁盘的数量，磁盘的LBA逻辑扇区总数为L；在磁盘阵列控制器的各磁盘I/O原始队列之前，增加一个分类的双缓冲队列，所述双缓冲队列中的每一个缓冲队列基于反馈算法控制该缓冲队列中的I/O访问到达所述原始队列的速率，从而控制所述原始队列中的I/O访问对高容量阵列区或者高性能阵列区的磁盘进行访问的I/O速率。