[发明专利]用于释放微机电系统装置中的隔膜的方法有效
| 申请号： | 201410168061.9 | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104671195B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 谢聪敏;李建兴;刘志成 | 申请（专利权）人： | 鑫创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于释放微机电系统(MEMS)装置的隔膜的方法。所述方法包含在预润湿溶液中将所述MEMS装置预润湿，从而至少将所述MEMS装置的空腔的侧壁表面预润湿。接着，在将MEMS装置湿蚀刻的步骤之后，执行润湿工艺，从而蚀刻电介质层的电介质材料以用于固持所述隔膜，其中从所述电介质层释放所述隔膜的感测部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 释放 微机 系统 装置 中的 隔膜 方法 | ||
【主权项】：
一种用于释放处于半成品阶段的微机电系统装置的隔膜的方法，包括：在预润湿溶液中将所述微机电系统装置预润湿，从而至少将所述微机电系统装置的空腔的侧壁表面预润湿，其中所述预润湿溶液是由具有开放开口的槽所容置，所述微机电系统装置是从所述开口浸入到所述预润湿溶液中；以及在将所述微机电系统装置预润湿的所述步骤之后，执行蚀刻工艺，从而蚀刻电介质层的电介质材料以用于固持所述隔膜，其中从所述电介质层释放所述隔膜的感测部分，其中所述空腔形成在硅衬底中，并且所述预润湿溶液对硅衬底是亲水的性质。
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