[发明专利]基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法有效
| 申请号： | 201410165612.6 | 申请日： | 2014-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103928502B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;姜腾;郝跃;张进成;张春福;林志宇;陆小力;倪洋 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L21/205 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性GaN纳米线生长中工艺复杂、生长温度高、纳米线长度短的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1‑20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，将m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性GaN纳米线。本发明具有工艺简单，高生长效率，方向一致的优点，可用于制作高性能极性GaN纳米器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 极性 纳米 线材 料及 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于m面GaN的极性GaN纳米线材料制作方法，包括如下步骤：(1)在厚度为1‑1000μm的m面GaN衬底上蒸发一层1‑20nm的Ti金属；(2)将有Ti金属的m面GaN衬底置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中，并向反应室内通入流量均为1000sccm‑10000sccm的氢气与氨气，对衬底基片进行氮化处理，即将m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；所述对衬底基片进行氮化处理，其工艺条件如下：温度：600‑1200℃；时间：5‑20min；反应室压力：20‑760Torr；(3)向MOCVD反应室中同时通入流量为5‑100μmol/min的镓源和1000‑10000sccm的氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层之上生长若干条平行于衬底且长度不等的极性GaN纳米线，其生长的工艺条件是：温度为600‑1200℃，时间为5‑60min，反应室内压力为20‑760Torr。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410165612.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
