[发明专利]一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO₃)₂放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10mL浓度为0.42mol/L～0.6mol/L的KBH₄与10mL浓度为0.06mol/L的Na₂SeO₃混合并加热至70℃～80℃，溶液反应至红棕色，并在4-8秒内迅速变成无色，作为热溶液B；（3）将干净的ITO导电玻璃垂直浸入步骤（1）所得冷溶液A中5s～60s后取出，并迅速浸入步骤（2）所得热溶液B中，同样持续5s～60s；（4）重复步骤（3）4～20次,ITO表面出现红棕色CdSe薄膜。本发明制备时间短、通过改变冷、热交替化学浴循环次数控制CdSe薄膜的厚度、无需使用有毒有机溶剂并使CdSe薄膜牢固地吸附在ITO上的特点。

主权项

 一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法，其特征在于具体步骤为：（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO₃)₂放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10mL 浓度为0.42mol/L～0.6mol/L的 KBH₄与10mL 浓度为0.06mol/L 的Na₂SeO₃混合并加热至70℃～80℃，溶液反应至红棕色，并在4‑8秒内迅速变成无色，作为热溶液B；（3）将干净的ITO导电玻璃垂直浸入步骤（1）所得冷溶液A中5s～60s后取出，并迅速浸入步骤（2）所得热溶液B中，同样持续5s～60s；（4）重复步骤（3）4～20次, ITO表面出现红棕色CdSe薄膜。