[发明专利]一种CdSexTey量子点光电薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种CdSe_xTe_y量子点光电薄膜的制备方法。（1）称取0.4317～1.2953gCd（NO₃）₂·4H₂O于烧杯中，加入0.2689～0.8069g柠檬酸作为络合剂，再加入水，配成10mL络合水溶液A；（2）称取0.0399～0.1197gTeO₂于烧杯中，滴加1mol/LNaOH溶液，直至TeO₂全部溶解，再加入0.0432～0.1297gNa₂SeO₃和水，配成10mL溶液B；（3）将络合水溶液A和溶液B混合起来得溶液C；（4）将溶液C放入45～55℃水浴中，以ITO导电玻璃为阴极，铂片为阳极，在2.5～3.5V直流电压及磁力搅拌下电沉积20～40分钟。本发明最显著的特点是电化学共沉积法获得CdSe_xTe_y量子点光电薄膜，制备工艺简便高效、无污染、低成本，所得CdSe_xTe_y量子点光电薄膜具有较高光电压值。

主权项

一种CdSe_xTe_y量子点光电薄膜的制备方法，其中x=0.53～0.79，y=0.21～0.47，其特征在于具体步骤为： （1）称取0.4317～1.2953gCd（NO₃）₂·4H₂O于烧杯中，加入0.2689～0.8069g柠檬酸作为络合剂，加入水配成10mL络合水溶液，记为溶液A；（2）称取0.0399～0.1197gTeO₂于烧杯中，滴加1mol/LNaOH溶液，直至TeO₂全部溶解，再加入0.0432～0.1297gNa₂SeO₃并加水配成10mL水溶液，搅拌均匀，记为溶液B；（3）将步骤（1）所得溶液A和步骤（2）所得溶液B混合起来得溶液C；溶液C中Cd元素的物质的量为1.4～4.2mmol，Te元素的物质的量为0.25～0.75mmol，Se元素的物质的量为0.25～0.75mmol，Cd、Se、Te的摩尔比控制为5.6 : 1 : 1；（4）将步骤（3）所得溶液C放入45～55℃水浴中，以ITO导电玻璃为阴极，铂片为阳极，在2.5～3.5V直流电压及磁力搅拌下电沉积20～40分钟，即获得CdSe_xTe_y量子点光电薄膜, 其中x=0.53～0.79，y=0.21～0.47。