[发明专利]一种降低在线WAT测试对铜互连可靠性影响的方法有效
| 申请号： | 201410163450.2 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103972160B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张磊;姬峰;胡友存;陈玉文;李磊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低在线WAT测试对铜互连可靠性影响的方法，包括在半导体基底上形成至少一层包含测试元件的待测试铜互连结构；所述待测试铜互连结构表面预淀积一层介质阻挡层，获得待测晶圆；将测试探针穿透介质阻挡层并与所述测试元件的铜表面保持接触，对所述待测晶圆执行在线WAT测试；使用还原性等离子体气体对测试后的介质阻挡层和少部分与测试探针接触而暴露的铜进行表面活化与还原处理；继续淀积介质阻挡层至预定厚度。本发明通过结合测试前预淀积介质阻挡层作隔离保护层以及测试后表面等离子体活化与还原处理的方法，有效抑制在线WAT测试过程中铜和介电材料中缺陷的形成，显著降低在线WAT测试对铜互连可靠性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 在线 wat 测试 互连 可靠性 影响 方法 | ||
【主权项】：
一种降低在线WAT测试对铜互连可靠性影响的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，提供一半导体基底，在所述半导体基底上形成至少一层包含测试元件的待测试铜互连结构；S2，在所述待测试铜互连结构表面预淀积一层介质阻挡层，获得待测晶圆；S3，将测试探针穿透介质阻挡层并与所述测试元件的铜表面保持接触，对所述待测晶圆执行在线WAT测试；S4，使用还原性等离子体气体对测试后的介质阻挡层和少部分与测试探针接触而暴露的铜进行表面活化与还原处理；S5，继续淀积介质阻挡层至预定厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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