[发明专利]太阳能电池单元的制造方法无效
申请号: | 201410162819.8 | 申请日: | 2014-04-22 |
公开(公告)号: | CN104183668A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 曾我知洋 | 申请(专利权)人: | 住友重机械工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/265 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池单元的制造方法,其为利用了离子注入法的新的太阳能电池单元的制造方法。本发明的一方式的太阳能电池单元的制造方法包括:准备工序,准备具有第1导电型的硅层和覆盖硅层的包覆膜的太阳能电池用基板;及发射极层形成工序,经由包覆膜朝向硅层照射第2导电型的离子,在硅层的受光面侧的一部分的区域形成发射极层。发射极层形成工序中,以离子的射程成为从包覆膜的表面到包覆膜与硅层的界面的距离的能量照射该离子。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 单元 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池单元的制造方法,其特征在于,包括:准备工序,准备具有第1导电型的硅层和覆盖所述硅层的包覆膜的太阳能电池用基板;及发射极层形成工序,经由所述包覆膜朝向所述硅层照射第2导电型的离子,在所述硅层的受光面侧的一部分的区域形成发射极层,所述发射极层形成工序中,以所述离子的射程成为从所述包覆膜的表面到所述包覆膜与所述硅层的界面为止的距离的能量照射该离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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