[发明专利]掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法。该方法以N型硅(n-Si)基片作为衬底，衬底上表面预设两片区域，在其中一片区域，采用脉冲激光沉积方法制备钴掺杂的非晶碳（a-C:Co）膜，然后采用真空热蒸发方法在该碳膜上蒸镀（Ag）层；在另一片区域，直接用真空热蒸发方法将Ag层蒸镀于该区域的n-Si基片上，制备得本器件。经测试，本器件显示出良好的光伏特性，室温下最好，当温度在270K(-3℃)以上时，温度对光伏效应的影响很小，具有受环境温度影响小，工作稳定度高的优点。本器件还易于回收重复利用；其非晶碳膜的抗腐蚀及耐磨损性能好，可与建筑物表面材料结合，大大节省安装空间；且取用材料价格低廉、制备工艺简洁，无污染物产生，有利于环境保护。

主权项

一种掺钴非晶碳膜/硅光伏器件，其特征在于：该光伏器件的组成结构为：其衬底为N型硅(n‑Si)基片, 所述n‑Si基片的一端的上表面，镀覆有钴（Co）掺杂的非晶碳 (a‑C:Co) 膜，该非晶碳膜上镀有银(Ag)层；所述n‑Si基片的另一端的上表面，直接镀有Ag层，由该两个镀Ag层构成一对电极。