[发明专利]一种增加选择发射极制程中使用的掩膜宽度的方法有效
| 申请号： | 201410158537.0 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN103904165A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李艳 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 213022 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增加选择发射极制程中使用的掩膜宽度的方法，太阳能电池的制备过程中，在背面刻蚀时，使晶硅片在刻蚀药液中进行刻蚀，通过对腐蚀条件进行调整，从而控制晶硅片与刻蚀药液的反应速率来增加掩膜融化后的宽度；其中，腐蚀条件包括：刻蚀药液为浓度为120~200g/L的氢氟酸和浓度为600~800g/L的硝酸；腐蚀温度为15℃~25℃；腐蚀速度为1.0~2.0m/min；晶硅片的腐蚀量为0.2~0.5g/m2。本发明的方法能够降低掩膜的初始设计宽度，减小掩膜的消耗量，降低去除掩膜的用药成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 选择 发射极 制程中 使用 宽度 方法 | ||
【主权项】：
一种增加选择发射极制程中使用的掩膜宽度的方法，其特征在于：太阳能电池的制备过程中，在背面刻蚀时，使晶硅片在刻蚀药液中进行刻蚀，通过对腐蚀条件进行调整，从而控制晶硅片与刻蚀药液的反应速率来增加掩膜融化后的宽度；其中，腐蚀条件包括：刻蚀药液为浓度为120~200g/L的氢氟酸和浓度为600~800g/L的硝酸；腐蚀温度为15℃~25℃；腐蚀速度为1.0~2.0m/min；晶硅片的腐蚀量为0.2~0.5g/m2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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