[发明专利]一种超细间距微凸点的制备方法

摘要

本发明公开了一种超细间距微凸点的制备方法，属于基于传统的大马士革工艺的改进型技术。首先在晶圆上沉积一层电解质层，刻蚀出贯穿所述电解质层的孔，然后在晶圆表面和孔内沉积金属种子层，在晶圆表面和孔内填充UBM金属和低熔点金属，对晶圆表面的金属进行CMP，将孔之外的金属去除，孔内金属表面特别是中心区域即锡的区域水平无凹陷。相邻孔内填充的金属被电解质材料隔离，对孔内金属的头部周围的电解质材料进行刻蚀，使得金属的头部端面高于周围的电解质面，形成低熔点金属被UBM金属包裹的微凸点结构。该方法避免了凸点钻蚀，可以将凸点的间距缩小到几个微米级，甚至数百纳米级，且可以避免传统凸点中锡球与相邻焊盘发生短路的现象。

主权项

一种超细间距微凸点的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）先在晶圆上沉积一层一定厚度的电解质层，涂光刻胶，然后进行掩膜光刻，刻蚀出贯穿所述电解质层的孔；（2）在晶圆表面和所述孔内沉积一层金属种子层；（3）在晶圆表面和所述孔内填充一层UBM金属，以及一层低熔点金属，且应确保在后续的CMP工艺后，所述孔内金属表面无凹陷；（4）对晶圆表面的金属进行CMP，将孔之外的金属去除，直至相邻孔内填充的金属被电解质材料隔离；（5）对孔内金属的头部周围的电解质材料进行刻蚀，使得金属的头部端面高于周围的电解质面，形成低熔点金属被UBM金属包裹的微凸点。