[发明专利]一种各向异性磁阻芯片的剥离法制备工艺在审
| 申请号： | 201410150674.X | 申请日： | 2014-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN104465985A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张文旭;杨华;彭斌;余涛 | 申请（专利权）人： | 贵州雅光电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种各向异性磁阻芯片的剥离法制备工艺，通过光刻胶在晶圆表面预留相应图形化敏感单元槽径，采用射频或直流磁控溅射把功能膜沉积在图形化敏感单元槽径内，然后用剥离工艺实现功能膜周围光刻胶的剥离，运用剥离技术适合各种膜层的图形化方案，对材料种类没有特别要求，工艺参数可以在较宽的范围内变化，脉冲射频技术能使沉积原子在基片表面充分迁移，提高缓冲层的表面平整度，在常温下能够更好的诱导NiFe薄膜结构的生长，并会降低矫顽力，使薄膜的灵敏度变得更好，通过剥离工艺与脉冲射频技术相结合，既能实现常温下让功能薄膜获得到最好效果，又能克服其他现有工艺苛刻的技术要求，大大减低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 各向异性 磁阻 芯片 剥离 法制 工艺 | ||
【主权项】：
一种各向异性磁阻芯片的剥离法制备工艺，其特征在于：通过光刻胶在晶圆表面预留相应图形化敏感单元槽径，采用射频或直流磁控溅射把功能膜沉积在图形化敏感单元槽径内，然后用剥离工艺实现功能膜周围光刻胶的剥离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州雅光电子科技股份有限公司，未经贵州雅光电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410150674.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三端原子开关器件及其制备方法
- 下一篇：复合热电芯片及其热端陶瓷板制造方法
