[发明专利]一种纳米铋氧化物薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410149155.1 申请日: 2014-04-15
公开(公告)号: CN103898589A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 周莹;张骞;李伟;王芳;赵梓俨;林元华;武元鹏 申请(专利权)人: 西南石油大学
主分类号: C25D5/50 分类号: C25D5/50;C25D3/00;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610500 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种纳米铋氧化物薄膜的制备方法,其特征在于:以硝酸铋为铋源,溶于乙酸水溶液形成含铋电沉积液;以导电玻璃为薄膜沉积基底,在上述电沉积液中利用电化学方法,于-0.04~-0.64V电位区间内,10~100mV/s的扫速下,沉积30~7200s,制备纳米铋薄膜;将上述薄膜置于马弗炉,在200~600℃空气气氛下,氧化1~4小时,即可制得纳米铋氧化物薄膜。本发明方法设备简单,操作简便,可实现大规模生产,所制薄膜均匀、厚度可控。
搜索关键词: 一种 纳米 氧化物 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种纳米铋氧化物薄膜的制备方法,其特征是包括下列步骤:a)电沉积液的配置:电沉积液为含硝酸铋和乙酸的水溶液。其中硝酸铋浓度为1‑10mmol/L,乙酸的体积百分含量为2‑5%。溶液配制过程为:先将硝酸铋溶于乙酸,然后加去离子水稀释至一定浓度,即可制得电沉积液。b)铋薄膜的电沉积:将电沉积液注入电解池中,沉积温度控制在15~35℃之间,以铂网为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,导电玻璃为工作电极,在‑0.04~‑0.64V(相对于饱和甘汞电极)的电位窗口内,于10~100mV/s的扫速下,沉积30~7200s,即可获得纳米铋薄膜。c纳米铋氧化物薄膜的制备:将沉积获得的纳米铋薄膜置于马弗炉中,在200~600℃空气气氛下,氧化1~4小时,即可制得纳米铋氧化物薄膜。
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