[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201410147942.2 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104425458A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 辛尚勋;边相镇 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：主区，适用于在测试模式下分别基于第一测试信号和第二测试信号执行第一测试操作和第二测试操作；第一测试区，其与主区电连接，并且适用于在测试模式下产生且传送第一测试信号至主区；以及第二测试区，与主区或第一测试区电连接，并且适用于在测试模式下产生且传送第二测试信号至主区，其中划线设置在第二测试区与主区或第一测试区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：主区，所述主区适用于在测试模式下分别基于第一测试信号和第二测试信号执行第一测试操作和第二测试操作；第一测试区，所述第一测试区与所述主区电连接，并且适用于在所述测试模式下产生并传送所述第一测试信号至所述主区；以及第二测试区，所述第二测试区与所述主区或所述第一测试区电连接，并且适用于在所述测试模式下产生并传送所述第二测试信号至所述主区，其中划线设置在所述第二测试区与所述主区或所述第一测试区之间。
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