[发明专利]一种耐高压抗击穿电容器用金属化薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201410144839.2 | 申请日: | 2014-04-12 |
公开(公告)号: | CN103951881A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 骆方旭;郑颖;姚志国 | 申请(专利权)人: | 安徽江威精密制造有限公司 |
主分类号: | C08L23/12 | 分类号: | C08L23/12;C08L33/12;C08K13/02;C08K3/22;C08K3/34;C08K5/101;C08K5/3415;C08K5/3472;B29D7/01;H01G4/18 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 244121 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种耐高压抗击穿电容器用金属化薄膜,其特征在于,由下列重量份的原料制成:等规聚丙烯200、二氧化钛1-2、碳化硅2-3、丙烯酸丁酯4-5、聚甲基丙烯酸甲酯2-3、N-甲基吡咯烷酮1-2、戊唑醇2-3、二茂铁1-2、助剂5-6;本发明通过过滤,去除原料中的杂质,使原料性能好,降低了薄膜的报废率,不易破裂;采用电晕处理,提高了薄膜的耐压强度,耐高压,防止击穿,而且厚度均匀,在高温下热收缩率低和性能稳定,使用寿命长。 | ||
搜索关键词: | 一种 高压 抗击 电容 器用 金属化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种耐高压抗击穿电容器用金属化薄膜,其特征在于,由下列重量份的原料制成:等规聚丙烯200、二氧化钛1‑2、碳化硅2‑3、丙烯酸丁酯4‑5、聚甲基丙烯酸甲酯2‑3、N‑甲基吡咯烷酮1‑2、戊唑醇2‑3、二茂铁1‑2、助剂5‑6;所述助剂由下列重量份的原料制成:茂金属线性低密度聚乙烯12‑15、苯甲酸钠1‑2、当归油1‑2、聚异丁烯3‑4、硅烷偶联剂KH550 1‑2、椴木灰烬1‑2、亚硒酸钠1‑2、纳米玉石粉0.3‑0.4、玫瑰精油0.1‑0.2;制备方法是将茂金属线性低密度聚乙烯加热至熔融状态,然后,加入纳米玉石粉、椴木灰烬搅拌10‑15分钟,最后加入其它成分,搅拌分散均匀,冷却,造粒,即得。
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