[发明专利]太赫兹量子阱光电探测器的同心圆环光耦合器及制作方法

摘要

本发明提供一种太赫兹量子阱光电探测器的同心圆环光耦合器及制作方法，所述同心圆环光耦合器包括形成于器件材料表面的多级同心圆环以及覆盖于各所述同心圆环表面的反射金属层，所述多级同心圆环呈凹凸相间排列，各所述同心圆环的半径 rk=(2k‑1)λ0/(4n)，其中，k为同心圆环对应的级数，λ0为太赫兹量子阱光电探测器的峰值响应波长，n为太赫兹量子阱光电探测器的器件材料的折射率。本发明的同心圆环光耦合器可直接制作于器件表面，与现有常用的光栅结构光耦合器相比，本发明可实现会聚的功能，可有效提升器件有源区单位体积内的光强，从而实现器件性能的大幅度提升。

主权项

一种太赫兹量子阱光电探测器的同心圆环光耦合器，其特征在于：所述同心圆环光耦合器包括形成于器件材料表面的多级同心圆环以及覆盖于各所述同心圆环表面的反射金属层，所述多级同心圆环呈凹凸相间排列，各所述同心圆环的半径rk＝(2k‑1)λ0/(4n)，其中，k为同心圆环对应的级数，λ0为太赫兹量子阱光电探测器的峰值响应波长，n为太赫兹量子阱光电探测器的器件材料的折射率，所述同心圆环耦合器的有效区域的形状为半径等于第二级同心圆环的圆形；所述多级同心圆环中，凸同心圆环与凹同心圆环的高度差为0.5～2μm。