[发明专利]发光二极管芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201410143592.2 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103904174A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡家豪;高维洋;孟亚薇;查劲松;古静;王印 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/60;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光划片、蚀刻和背镀反射层技术制作发光二极管芯片的方法，采用2次激光偏移背划，增加划宽、划深，形成U型缺口；通过蚀刻作业，可以去除激光划片留下的碎屑并使得U型缺口的表面更为平整；U型缺口使得蓝宝石衬底形成局部倾斜的侧面，该侧面加上衬底背面形成高反射层后，可以更大程度地向上反射从发光层发光的光线，提高发光二极管芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管芯片的制作方法，包括步骤：1）提供一蓝宝石衬底； 2）在蓝宝石衬底上形成外延层，其中外延层包括N型层、发光层和P型层； 3）通过光刻及蚀刻技术，使N型层局部露出； 4）分别在P型层和裸露的N型层上制作P电极和N电极；5）减薄蓝宝石衬底；6）采用激光沿着蓝宝石衬底背面进行偏移2次划片，形成U型缺口； 7）对U型缺口进行蚀刻作业；8）在蓝宝石衬底背面及U型缺口上形成分布布拉格反射层；以及9）从蓝宝石正面裂片，得发光二极管芯片。
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