[发明专利]TEM样品的制备方法和失效分析方法有效
| 申请号： | 201410143080.6 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103913358B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 郭伟;仝金雨;李剑;李桂花 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N23/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TEM样品的制备方法和失效分析方法，其在衬底上进行失效区的粗略定位后切出包含失效区的初始样品，再用TEM对初始样品中的具体失效点进行精准定位并减薄所述初始样品形成最终样品，即可供TEM电子穿透的TEM样品。如此一来解决了传统技术中FIB机台分辨率不足，无法对半导体内部厚度足够小的特定层的失效点精准定位，并制造出TEM样品的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 失效 分析 | ||
【主权项】：
一种TEM样品的制备方法，包括以下步骤：S1：在一衬底上进行粗略定位，找到失效区并在所述衬底上标注所述失效区的范围；S2：切割所述衬底形成初始样品，使所述初始样品包含所述失效区；S3：垂直于所述初始样品的一截面采用TEM观测所述初始样品以找到具体失效点，测量具体失效点的尺寸，并标注其在所述初始样品中的具体位置；S4：切割所述初始样品制成最终样品，使所述最终样品包含所述失效点；步骤S2和步骤S4中的切割方向互相垂直，且观测所述初始样品时的方向与观测所述最终样品的方向相互垂直。
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