[发明专利]一种掺杂Er3+的CdS纳米带多波段红外探测器的制备方法有效
申请号: | 201410140950.4 | 申请日: | 2014-04-10 |
公开(公告)号: | CN103904163B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 刘应开 | 申请(专利权)人: | 刘应开;侯德东 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/09;H01L31/0352;H01L31/0296 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650599 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种掺杂Er3+的CdS纳米带多波段红外探测器的制备方法,将CdS粉末和乙酸铒粉体混合,取出混合粉体转入瓷舟中,在离瓷舟5厘米处摆放喷有厚为20‑30纳米金薄膜硅衬底,封闭管式炉,抽出空气使达到真空,通入氩气,停止抽气,让氩气静止30分钟,再抽真空,这样反复3次;随后以每分钟25℃的升温速率把炉子温度升高到840℃,维持此温度2小时,然后降温到室温,通20sccm氩气,维持管内压强为150Torr;取出衬底,用镊子刮下一部分样品分散到乙醇中,利用掩膜版制备纳米器件,并引出纳米器件的电极导线;分3档接入放大器,装入封装的盒子中,制成三波段红外探测器。本发明制备方法简单,作为探测波长为457.5纳米,620纳米,955纳米的三波段光导型探测器。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 er3 cds 纳米 波段 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种掺杂Er3+的CdS纳米带多波段红外探测器的制备方法,其特征在于,该掺杂Er3+的CdS纳米带多波段红外探测器的制备方法的步骤包括:步骤一、将CdS粉末和乙酸铒粉体按质量比为50∶1的比例混合均匀,然后取出5‑10克混合粉体转入瓷舟中,并将瓷舟放入管式炉中心位置处;步骤二、在离瓷舟5厘米处摆放喷有厚为20‑30纳米金薄膜的硅衬底,封闭管式炉,抽出空气使达到真空,并通入氩气,停止抽气,让氩气静止30分钟,再抽真空,反复3次;步骤三、随后以每分钟25℃的升温速率把炉子温度升高到840℃,维持2小时,然后降温到室温,直通20sccm的氩气;步骤四、取出沉积有掺杂Er3+的CdS纳米带的衬底,然后用镊子刮下一部分沉积有掺杂Er3+的CdS纳米带分散到乙醇中供制备器件用;步骤五、利用掩膜版制备纳米器件:选取SiO2/Si作为衬底,将分散纳米带放在SiO2/Si衬底上,并在纳米带表面形成掩膜版,在掩膜版上形成钛/金合金电极沉积,然后移去掩膜版,即制得纳米器件,并引出纳米器件的电极导线;步骤六、将引出导线的器件分3档接入放大器,一并装入封装的盒子中,就制成三波段红外探测器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘应开;侯德东,未经刘应开;侯德东许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410140950.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种远程健康监护系统、方法和装置
- 下一篇:一种三维VSP数据的逆时偏移方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的