[发明专利]等离子发生器混气管路有效
| 申请号: | 201410140942.X | 申请日: | 2014-04-10 | 
| 公开(公告)号: | CN103924216A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 | 
| 发明(设计)人: | 凌复华;张孝勇;苏欣;吴凤丽;姜崴 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 | 
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 | 
| 代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 | 
| 地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 | 
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| 摘要: | 一种等离子发生器混气管路,包括上端焊接加工件、中部混气块、底部陶瓷座及进气管路。所述上端焊接加工件由等离子体进气法兰连接管、三通连接件、圆柱管路及管路端头连接件焊接而成。三通连接件的底部设有水路进出口,用于混气管路的冷却。中部设有对称的混气块,内部分别嵌有倒锥形挡块,使混气块的内部形成了倒锥形的环状气道。焊接加工件分别与混气块用螺钉连接。末端两侧的陶瓷座,用于混气管路和腔室间的绝缘。本发明实现了等离子体与工艺气体的隔离,冷却等离子体产生的高温及工艺气体能够平稳流动的功能。通过中部倒锥形挡块的设置,使工艺气体在其周围平稳旋转流入,并被其导流向下进入反应腔室,在晶圆表面形成均匀性良好的介质膜。具有结构合理,实用性强,可广泛应用于半导体镀膜技术领域。 | ||
| 搜索关键词: | 等离子 发生器 管路 | ||
【主权项】:
                一种等离子发生器混气管路,包括上端焊接加工件、底部陶瓷座及进气管路,所述上端焊接加工件,它由等离子体进气法兰连接管(2)、三通连接件(3)、圆柱管路A(4)、圆柱管路B(18)及管路端头连接件A(5)、管路端头连接件B(14)焊接而成,三通连接件(3)的底部设有水路进出口A(15)和水路进出口B(16),用于混气管路的冷却,末端为两侧的陶瓷座A(10)及陶瓷座B(22),上述陶瓷座A(10)与混气块A(8)、陶瓷座B(22)与混气块B(13)分别用螺钉连接,并分别通过胶圈(1)密封,其特征在于:中部设有对称的混气块A(8)和混气块B(13),内部分别嵌有倒锥形挡块A(7)与倒锥形挡块B(21),使混气块A(8)和混气块B(13)的内部形成了倒锥形的环状气道,焊接加工件分别与混气块A(8)和混气块B(13)用螺钉连接,二者分别用胶圈A(6)、胶圈B(20)密封,工艺气体进气管路A(11)和工艺气体进气管路B(12)分别与混气块A(8)和混气块B(13)连接,二者分别用胶圈C(9)、胶圈D(19)密封,工艺气体由气体通道(17)处切线方向进入混气块内的环状气道,在倒锥形挡块A(7)和倒锥形挡块B(21)周围旋转向下进入腔室内部。
            
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                    C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
                
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