[发明专利]用于半导体制造的内部等离子体格栅

摘要

本文所公开的实施方式涉及用于半导体制造的内部等离子体格栅，具体涉及蚀刻半导体衬底的改进的方法和装置。等离子体格栅组件被定位在反应室中以将所述室分成上部和下部子室。等离子体格栅组件可以包括具有特定的高宽比的槽的一个或多个等离子体格栅，从而允许某些物质从上部子室通到下部子室。在使用多个等离子体格栅的情况下，一个或多个格栅可以是可移动的，允许至少在所述下部子室维持等离子体条件的延续性。在某些情况下，在上部子室中产生电子‑离子等离子体。通过格栅到下部子室的电子当它们通过时受到冷却。在某些情况下，这导致在下部子室中的离子‑离子等离子体。

主权项

一种用于在衬底上蚀刻特征的装置，所述装置包括：室，其限定能提供等离子体的内部；衬底支架，其用于在蚀刻过程中支撑在所述室中的衬底；等离子体发生器，其用于在所述室内产生等离子体；格栅组件，其将所述室的所述内部分成靠近所述等离子体发生器的上部子室和靠近所述衬底支架的下部子室；以及控制器，该控制器被配置为在使用所述格栅组件在所述上部子室产生上部区域等离子体和在所述下部子室中产生下部区域等离子体的条件下在所述室中产生所述等离子体，所述下部区域等离子体是离子‑离子等离子体，其中所述上部子室的高度是所述下部子室的高度的至少1/6，其中，所述格栅组件包括至少第一格栅和第二格栅，每个格栅包括多个槽，该多个槽在所述等离子体在所述室中产生时防止在所述格栅中形成感应电流，其中所述第一格栅和所述第二格栅中的至少一个中的所述多个槽具有介于0.5‑2之间的高宽比。