[发明专利]具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法有效
申请号: | 201410137919.5 | 申请日: | 2010-03-18 |
公开(公告)号: | CN103915381B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 谢忠全 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/50 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法,包括以下步骤提供一基板,该基板上依序形成一第一型掺杂半导体层、一发光层与一第二型掺杂半导体层,并形成多个发光单元。在第二型掺杂半导体层上形成多个电极,并于所述电极上分别形成多个导电凸块。形成一覆盖第二型掺杂半导体层及导电凸块的荧光粉层。薄化荧光粉层并暴露出此些导电凸块。以刀具切割所述荧光粉层及所述发光单元并以激光切割所述基板,以形成多个彼此分离且具有荧光粉层的发光二极管晶片。本发明的发光二极管晶片的制作方法,可有助于提高发光二极管晶片所产生的光的颜色的均匀度。 | ||
搜索关键词: | 具有 荧光粉 发光二极管 晶片 制作方法 | ||
【主权项】:
一种具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一基板,所述基板上依序形成一第一型掺杂半导体层、一发光层与一第二型掺杂半导体层,并形成多个发光单元;在所述第二型掺杂半导体层上形成多个电极,并于所述电极上分别形成多个导电凸块;形成一覆盖所述第二型掺杂半导体层及导电凸块的荧光粉层;所述荧光粉层形成在所述多个发光单元的正向发光表面上;薄化所述荧光粉层并暴露出所述多个导电凸块,其中薄化所述荧光粉层并暴露出所述多个导电凸块的步骤包括以一点状切削装置切削所述荧光粉层,所述点状切削装置为一钻石切刀,在以所述钻石切刀切削所述荧光粉层的同时,所述钻石切刀还切削各所述导电凸块的一顶部;以及所述钻石切刀的刀头以旋转方式将切割点变成切割线,并通过所述基板与所述钻石切刀的相对运动形成切割面;以刀具切割所述荧光粉层及所述发光单元并以激光切割所述基板,以形成多个彼此分离且具有所述荧光粉层的发光二极管晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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