[发明专利]一种Ti3Si1-xAlxC2／TiO2纳米片一体化材料及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及纳米陶瓷材料领域，具体为一种Ti₃Si_1-xAl_xC₂／TiO₂纳米片一体化材料及其制备方法和应用。该一体化材料以Ti₃Si_1-xAl_xC₂块体材料作为基体，TiO₂纳米片生长于基体表面；其中，0＜x≤0.2。将Ti₃Si_1-xAl_xC₂块体材料打磨、抛光、清洗、干燥；在温度800℃～1100℃，真空度100Pa～30kPa，保温时间10min～20h条件下处理，即可在Ti₃Si_1-xAl_xC₂块体材料表面生长出金红石型TiO₂纳米片，从而得到Ti₃Si_1-xAl_xC₂/TiO₂纳米片一体化材料。该方法制备的TiO₂纳米片尺寸可控制在厚度2nm～100nm，表面积0.1微米到几百微米，表面光滑。其中，Ti₃Si_1-xAl_xC₂基体材料具有较高的强度、模量、抗热震性以及导电性，而TiO₂纳米片具有较大的比表面积，因此Ti₃Si_1-xAl_xC₂/TiO₂一体化材料将在电加热的高温催化剂载体、光催化等领域具有潜在应用前景。

主权项

一种Ti₃Si_1‑xAl_xC₂/TiO₂纳米片一体化材料，其特征在于：Ti₃Si_1‑xAl_xC₂块体作为基体，TiO₂纳米片生长于基体表面；其中，0＜x≤0.2。