[发明专利]芯片电子组件和制造芯片电子组件的方法有效
申请号: | 201410136448.6 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN104766693B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 朴文秀;李东焕;韩珍玉;金珆映;车慧娫 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01F17/04 | 分类号: | H01F17/04;H01F27/28;H01F41/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 王占杰,韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种芯片电子组件和一种制造芯片电子组件的方法,所述芯片电子组件包括磁性主体,包括绝缘基底;内部线圈部分,设置在绝缘基底的至少一个表面上;以及外部电极,设置在磁性主体的一个端表面上,并连接到内部线圈部分,其中,绝缘基底的厚度被限定为t1,内部线圈部分的厚度被限定为t2,t2/t1为1.0至1.8。所述芯片电子组件能够通过阻挡磁通量在线圈附近的流动以防止线圈附近发生磁化来改善随着电流的施加的电感L值的变化特性,并且能够通过充分地确保填充的磁性材料的体积来实现相对高的最大电感值。 | ||
搜索关键词: | 芯片 电子 组件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片电子组件,所述芯片电子组件包括:磁性主体,包括绝缘基底;内部线圈部分,设置在绝缘基底的至少一个表面上;绝缘层,涂覆内部线圈部分;以及外部电极,设置在磁性主体的一个端表面上,并连接到内部线圈部分,其中,绝缘基底的厚度被限定为t1,内部线圈部分的厚度被限定为t2,t2/t1为1.0至1.8,其中,基于磁性主体的总体积,磁性材料的体积为80体积%至90体积%。
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