[发明专利]一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法有效
申请号: | 201410135934.6 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN103887155A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 李兴冀;刘超铭;杨剑群;马国亮;肖景东;何世禹;杨德庄 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L21/331 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 岳泉清 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法,属于电子技术领域。适应了对位移辐射损伤小、双极型器件抗辐照能力强的双极型器件的需求。本发明利用双极型器件的结构参数,采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量和射程信息;采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化,改变双极型器件的离子注入量,使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%,记录离子注入量;并根据注入双极型器件的离子的能量、射程信息和离子注入量设置离子注入机的电压、电流和注入时间,最后进行退火处理,实现双极型器件抗位移辐照加固。本发明适用于对双极型器件进行抗位移辐照加固。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 离子 注入 方式 双极型 器件 位移 辐照 加固 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法,其特征在于,该方法的具体步骤为:步骤一、利用双极型器件的结构参数,采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量和射程信息;所述极型器件的结构参数为材料成分、密度和厚度;步骤二、采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化,改变双极型器件的离子注入量,使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%,记录离子注入量;步骤三、根据步骤一模拟获得的注入双极型器件的离子的能量和射程信息和步骤二获得的离子注入量,计算离子注入机的电压、电流和离子注入时间;所述计算离子注入机的电压、电流和离子注入时间的方法为:采用公式:V = E C ]]> 计算获得离子注入机的电压V,式中,电压的单位为伏;E为离子能量,单位为eV;C为离子带电量;采用公式:I = Φ · C · q t ]]> 计算获得离子注入机的电流I,式中,Φ为离子注量,C为离子带电量,q为单位电荷,t为辐照时间,即离子注入时间;步骤四、根据步骤三获得的离子注入机的电压、电流和离子注入时间,对离子注入机进行设置,对双极型器件进行离子注入;步骤五、对完成离子注入后的双极型器件进行退火处理,退火处理后完成基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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