[发明专利]改善TSV金属填充均匀性的方法

摘要

本发明涉及一种工艺方法，尤其是一种改善TSV金属填充均匀性的方法，属于半导体TSV工艺的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种改善TSV金属填充均匀性的方法，首先通过分步沉积，获得TSV整体的覆盖率；而后通过再分布方法，改善局部的覆盖均匀性。本发明工艺步骤简单，能改善高深宽比TSV侧壁金属填充的均匀性，安全可靠。

主权项

 一种改善TSV金属填充均匀性的方法，其特征是：在TSV内进行所需次数的工艺循环，所述工艺循环的一个循环内包括沉积步骤以及位于所述沉积步骤之后的溅射再分布步骤；所述沉积步骤包括高压沉积步骤及低压沉积步骤；其中，高压沉积步骤中的气压为0.8mTorr~1mTorr；低压沉积中的气压为0.5mTorr~0.7mTorr；所述溅射再分布步骤包括高偏压功率溅射再分布步骤和匀速降低偏压功率溅射再分布步骤；其中，高偏压功率溅射再分布步骤的功率为1200W~1800W，以使得金属溅射到TSV侧壁的中下部；匀速降低偏压功率溅射再分布步骤是一个在所需设定的时间内将初始功率降低到终止功率的过程，初始功率为高偏压溅射再分布步骤的功率，终止功率为400W~600W，以使得溅射的聚焦位置从TSV孔的下部开始缓慢移至TSV孔的中上部。