[发明专利]三维封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410128591.0 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103972159B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 王文斌;王之奇;喻琼;王蔚 | 申请（专利权）人： | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华,应战 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种三维封装结构及其形成方法，所述三维封装结构的形成方法，包括提供第一衬底，第一衬底上具有第一焊盘；在第一焊盘上形成第一键合层；在第一键合层周围形成保护墙，所述保护墙的顶部表面高于第一键合层的表面；提供第二衬底，所述第二衬底上具有第二焊盘；在所述第二焊盘上形成第二键合层；将第二衬底倒装在第一衬底上，将第二衬底上的第二键合层与第一衬底上的第一键合层键合连接，使得所述保护墙围绕所述第一键合层和第二键合层。本发明通过形成保护墙，在进行第一键合层和第二键合层的键合时，防止第一键合层或第二键合层材料向键合面两侧的溢出。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种三维封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，第一衬底上具有第一焊盘；在第一焊盘上形成第一键合层；在第一键合层周围形成保护墙，所述保护墙的顶部表面高于第一键合层的表面，且所述保护墙包括相邻的第一部分和第二部分，保护墙的第一部分位于第一键合层的表面，保护墙的第二部分位于第一衬底的表面，且所述保护墙覆盖第一键合层的侧壁；提供第二衬底，所述第二衬底上具有第二焊盘；在所述第二焊盘上形成第二键合层；将第二衬底倒装在第一衬底上，将第二衬底上的第二键合层与第一衬底上的第一键合层键合连接，使得所述保护墙围绕所述第一键合层和第二键合层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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