[发明专利]双面电极太阳能电池及太阳能电池阵列在审
| 申请号： | 201410127670.X | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103985771A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 花国然;王强;朱海峰;程实 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮 |
| 地址： | 226019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双面电极太阳能电池及太阳能电池阵列，其中，双面电极太阳能电池包括P型硅基板，所述P型硅基板前后表面包覆有N型导体，并在P型硅基板和N型导体界面处扩散形成有PN结；所述P型硅基板上层的部分区域形成有电极通道，所述电极通道中形成有正电极，未形成有正电极的区域上形成有顶电极；所述P型硅基板下层形成有底电极，所述正电极通过外电路与所述底电极或所述顶电极连接。相比现有的双PN结太阳能电池增加了正电极，减少了电流的损耗，所述双面电极太阳能电池被一个环形PN结包围，对光线的吸收率增强了，同时在制造过程中减少了等离子刻边和去除背结两个步骤，使得工艺简单化。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 电极 太阳能电池 阵列 | ||
【主权项】：
一种双面电极太阳能电池，其特征在于，包括：P型硅基板，所述P型硅基板前后表面包覆有N型导体，并在P型硅基板和N型导体界面处扩散形成有PN结；所述P型硅基板上层的部分区域形成有电极通道，所述电极通道中形成有正电极，未形成有正电极的区域上形成有顶电极；所述P型硅基板下层形成有底电极，所述正电极通过外电路与所述底电极或所述顶电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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