[发明专利]位错缺陷的检测方法及其应用在审
| 申请号： | 201410126968.9 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103887205A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;顾晓芳;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种位错缺陷的检测方法，包括以下步骤：建立应力分布不均且形成有多个晶体管的测试结构，测试结构的有源区中形成有多个应力集中程度不完全相同的应力集中区域；在测试结构上形成多个连接孔并在其中填充金属，所述多个连接孔至少连接所述应力集中区域；通过电子束扫描仪扫描所述测试结构以得到所述连接孔的影像特征图；根据所述影像特征图检测所述测试结构中由应力引起的位错缺陷。本发明还提供了一种应用该位错缺陷检测的热处理工艺窗口检查方法。本发明能够快速有效地检测应力引起的位错缺陷，并为热处理工艺优化提供参考。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种位错缺陷的检测方法，包括以下步骤： 步骤S01：建立应力分布不均且形成有多个晶体管的测试结构，其包括由隔离区分隔的有源区以及位于所述有源区上层的栅极多晶硅，其中所述有源区中形成多个应力集中程度不完全相同的应力集中区域； 步骤S02：在所述测试结构上形成多个连接孔并在其中填充金属，所述多个连接孔至少连接所述应力集中区域； 步骤S03：通过电子束扫描仪扫描所述测试结构以得到所述连接孔的影像特征图；以及 步骤S04：根据所述影像特征图检测所述测试结构中由应力引起的位错缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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