[发明专利]一种等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法有效
申请号: | 201410124425.3 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN104952778B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 何乃明;吴狄;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体处理装置、其静电卡盘及静电卡盘的制作方法,所述静电卡盘包括金属基座,金属基座上方设置加热装置,加热装置上方设置导热板,导热板上方设置陶瓷绝缘层,通过设置加热装置和导热板距离基片的高度不同,以及在陶瓷绝缘层和导热板之间设置厚度可控的导热粘胶层,实现对陶瓷绝缘层表面温度均匀或具有特定温度梯度的多参数调节。本发明除了可以调节加热装置的电源功率外,还可以通过调节不同加热区加热装置的高度落差,不同加热区导热板的厚度,以及陶瓷绝缘层和导热板之间导热粘胶层的厚度来实现对陶瓷绝缘层表面温度的调节,大大增加了静电卡盘的温度可控性,有利于快速的调节静电卡盘不同区域温度的均匀或特定梯度。 | ||
搜索关键词: | 静电卡盘 导热板 陶瓷绝缘层 加热装置 等离子体处理装置 导热 金属基座 加热区 粘胶层 温度可控性 电源功率 高度落差 厚度可控 温度均匀 温度梯度 多参数 制作 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,包括一真空反应腔,所述真空反应腔内设置一支撑固定基片的静电卡盘,所述静电卡盘包括一金属基座,其特征在于:所述金属基座包括一上表面,所述上表面至少位于两个水平面内;所述金属基座上方设置加热装置,所述加热装置包括至少第一加热区元件和第二加热区元件,所述第一加热区元件和第二加热区元件分别位于所述金属基座上表面的不同水平面上方;所述加热装置上方设置导热板,所述导热板包括位于所述第一加热区元件上方的第一加热区导热板和位于第二加热区元件上方的第二加热区导热板,所述第一加热区导热板和所述第二加热区导热板的上表面位于不同水平面内;一陶瓷绝缘层位于所述第一加热区导热板和所述第二加热区导热板上方,所述陶瓷绝缘层用于支撑固定所述基片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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