[发明专利]一种二氧化硅连续聚集体囊泡材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410124196.5 | 申请日： | 2014-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103922347A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡强;彭策;牟鸣薇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于多孔材料技术领域的一种二氧化硅连续聚集体囊泡材料及其制备方法。本发明的材料形貌为连续聚集体双壳层空心泡状，尺寸为20～100nm，松装密度为0.01～0.10g/cm3；孔径分布为多级孔，分为2～4nm的壁间孔以及20～40nm的囊泡孔，孔壁厚度为4～6nm；比表面积为600～1100m2/g。所述制备方法是在氨水-水混合溶液中先后溶入SDS和CTAB，并加入TEOS使其在碱性条件下加热水解缩合所得产物。本发明反应条件温和，所需设备简单，操作易行，反应时间很短，效率极高。经过等比例放大反应物，在50L反应釜中进行中试，所得产物与小批量反应无明显差异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 连续 聚集体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化硅连续聚集体囊泡材料，其特征在于，形貌为连续聚集体双壳层空心泡状，尺寸为20～100nm，松装密度为0.01～0.10g/cm3；孔径分布为多级孔，分为2～4nm的壁间孔以及20～40nm的囊泡孔，孔壁厚度为4～6nm；比表面积为600～1100m2/g。
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