[发明专利]晶片尺度外延石墨烯转移有效
| 申请号： | 201410122665.X | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104103567B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | S·W·比德尔;C·D·迪米特罗普洛斯;K·E·福格尔;J·B·汗农;金志焕;朴弘植;D·法伊弗;D·K·萨达那 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 于静,张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶片尺度外延石墨烯转移。一种用于二维材料的转移的方法包括在衬底上形成二维材料的扩展层，扩展层具有单层。在扩展层上形成应力源层，以及应力源层被配置为向扩展层的最近单层施加应力。通过机械分裂扩展层剥落最近单层，其中最近单层保留在应力源层上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 尺度 外延 石墨 转移 | ||
【主权项】：
一种用于二维材料的转移的方法，包括：在衬底上形成二维材料的扩展层，所述扩展层具有至少一个单层；在所述扩展层上形成应力源层，所述应力源层被配置为向所述扩展层的至少最近单层施加应力；以及通过机械分裂所述扩展层剥落至少所述最近单层，其中至少所述最近单层保留在所述应力源层上，其中形成所述应力源层包括沉积氧化物和半导体中的一种以在所述扩展层的所述至少最近单层中诱导应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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