[发明专利]一种三维纳米结构声表面波气敏传感器无效
申请号: | 201410121759.5 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN103868818A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 王露;杨靖;马晋毅;杜波;江洪敏;司美菊;王登攀;祖小涛;李志杰;唐永亮 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
主分类号: | G01N5/02 | 分类号: | G01N5/02 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 王海凤 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明涉及一种三维纳米结构声表面波气敏传感器,包括压电基底,置于该压电基底表面且相互平行的输入叉指电极IDT1和输出叉指电极IDT2以及敏感区,敏感区位于输入叉指电极IDT1和输出叉指电极IDT2之间,敏感区上具有三维纳米结构敏感膜,三维纳米结构敏感膜包括生长在敏感区上的改性三维纳米线或纳米管及涂覆在敏感区表面的敏感膜,改性三维纳米线或纳米管是在外表面附着有敏感膜的三维纳米线或纳米管。该气敏传感器集成度高、小体积、重量轻成本低,适用范围广,可在室温下工作,对低浓度气体检测时灵敏度高,更重要的是可以对多种气体进行快速、可靠的检测。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 纳米 结构 表面波 传感器 | ||
【主权项】:
一种三维纳米结构声表面波气敏传感器,包括压电基底(2),置于该压电基底(2)表面且相互平行的输入叉指电极IDT1(5)和输出叉指电极IDT2(6)以及敏感区(4),所述敏感区(4)位于输入叉指电极IDT1(5)和输出叉指电极IDT2(6)之间,其特征在于,所述敏感区(4)上具有三维纳米结构敏感膜,所述三维纳米结构敏感膜包括生长在敏感区(4)上的改性三维纳米线或纳米管(7)及涂覆在敏感区表面的敏感膜(1),所述改性三维纳米线或纳米管(7)是指在外表面附着有敏感膜(1)的三维纳米线或纳米管(3)。
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