[发明专利]超低欧姆接触电阻石墨烯晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410121742.X | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103985762B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 蔚翠;冯志红;李佳;刘庆彬;何泽召 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低欧姆接触电阻石墨烯晶体管，包括衬底以及位于衬底之上的源极和漏极，源极和漏极之间形成沟道区，沟道区从下往上依次为石墨烯层、介质层和栅极。其制备方法包括①形成石墨烯层；②沉积介质层；③在介质层上，通过光刻胶图形覆盖沟道区域；④腐蚀掉暴露出来的介质层；⑤刻蚀掉暴露出来的石墨烯层；⑥蒸发源漏极欧姆接触金属，形成欧姆接触金属层；⑦通过光刻胶图形覆盖所需要的源极和漏极区域；⑧形成源极和漏极；⑨形成栅极。本发明的方法实现了源漏欧姆接触金属与石墨烯的一维线接触，从而大大减小石墨烯与金属的接触电阻，从而增大最大振荡频率，有利于实现石墨烯场效应晶体管的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆 接触 电阻 石墨 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超低欧姆接触电阻石墨烯晶体管，包括衬底（1）以及位于衬底（1）之上的源极（5）和漏极（7），其特征在于：源极（5）和漏极（7）之间形成沟道区，沟道区从下往上依次为：石墨烯层（2）、介质层（3）和栅极（6）；所述晶体管中石墨烯的一维边界与源极（5）、漏极（7）欧姆接触金属接触。
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