[发明专利]一种TFT阵列基板及显示面板有效
申请号: | 201410120700.4 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN103913917B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 楼均辉 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 刘松 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种TFT阵列基板以及显示面板,用以解决现有技术中由带岛状ESL的TFT组成的显示面板存在画面显示效果差的问题。TFT阵列基板中的TFT包括栅极,第一绝缘层,半导体图形,刻蚀保护图形,以及源极和漏极,其中,源极和漏极不直接覆盖半导体图形的边缘,该半导体图形的边缘为半导体图形与第一绝缘层的交界边。采用本发明技术方案,令源极和漏极不直接覆盖第一绝缘层在与半导体图形交界边处的下陷区域,避免了由于尖端放电效应造成的TFT短路问题,提高了显示面板的显示效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 tft 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种TFT阵列基板,包括:一基板和位于所述基板上的TFT阵列,其中所述TFT包括:位于所述基板上的栅极;覆盖所述栅极的第一绝缘层;位于所述第一绝缘层上且与所述栅极对应设置的半导体图形;位于所述半导体图形上且覆盖部分半导体图形的刻蚀保护图形;位于所述刻蚀保护图形和所述半导体图形上的源极和漏极,且,所述源极和漏极位于半导体图形的覆盖区域范围内。
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