[发明专利]基于纳米氧化物电子传输层的钙钛矿电池无效
申请号: | 201410120606.9 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN103904147A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 董文静;陈鑫;张克难;魏调兴;张云;孙艳;戴宁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于纳米氧化物电子传输层的钙钛矿电池,该电池的结构包括第一电极、纳米氧化物电子传输层、钙钛矿结构吸光层、空穴传输层和对电极构成,其中:二维纳米结构是纳米级的二氧化钛薄膜、氧化锌薄膜或以二氧化钛、氧化锌、三氧化二铝为基础的多层薄膜;一维纳米结构是纳米级的管、线或棒状的二氧化钛、氧化锌或以二氧化钛、氧化锌、三氧化二铝为基础的复合纳米级的管、线或棒状结构。本发明的优点是:该电池制备过程简单,纳米氧化物电子传输层生长温度低、质量高,且该基于纳米氧化物电子传输层的钙钛矿电池不仅可用于硬质衬底上,而且可用于柔性衬底上。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 氧化物 电子 传输 钙钛矿 电池 | ||
【主权项】:
一种基于纳米氧化物电子传输层的钙钛矿电池,其结构为:在作为第一电极的透明衬底(1)上依次是纳米氧化物电子传输层(2)、钙钛矿结构吸光层(3)、空穴传输层(4)和对电极(5),其特征在于:所述的纳米氧化物电子传输层(2)是二维纳米结构或一维纳米结构,其中,二维纳米结构是纳米级的二氧化钛薄膜、氧化锌薄膜或以二氧化钛、氧化锌、三氧化二铝为基础的多层薄膜;一维纳米结构是纳米级的管、线或棒状的二氧化钛、氧化锌或以二氧化钛、氧化锌、三氧化二铝为基础的复合纳米级的管、线或棒状结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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