[发明专利]具有石墨烯电极的GaN基半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410120531.4 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103904108A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨连乔;冯伟;胡建正;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有石墨烯电极的GaN基半导体器件，由衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、石墨烯薄膜层和金属电极结合形成，P型半导体层为含GaN的复合材料层，石墨烯薄膜层设有贯穿的孔道，使金属电极穿过石墨烯薄膜层与P型半导体层固定连接，形成石墨烯薄膜层的焊盘，使石墨烯薄膜层固定结合在P型半导体层上，形成复合电极。本发明采用MO源作为催化剂与碳源的前驱体，在现有GaN外延工艺及设备的情况下实现了低温石墨烯电极的自生长，并可通过对金属图形的控制，进一步改善电流分布，提高了器件的出光与散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 石墨 电极 gan 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有石墨烯电极的GaN基半导体器件，依次由衬底层（1）、缓冲层（2）、N型半导体层（3）、有源层（4）、P型半导体层（5）、石墨烯薄膜层（6）和金属电极（7）结合形成，其特征在于：所述P型半导体层（5）为含GaN的复合材料层，所述P型半导体层（5）和石墨烯薄膜层（6）为欧姆接触，所述石墨烯薄膜层（6）设有贯穿的孔道，使所述金属电极（7）穿过所述石墨烯薄膜层（6）的孔道并与所述P型半导体层（5）固定连接，形成所述石墨烯薄膜层（6）的焊盘，使所述石墨烯薄膜层（6）固定结合在所述P型半导体层（5）上，使所述石墨烯薄膜层（6）和所述金属电极（7）相互结合形成复合电极，所述石墨烯薄膜层（6）的孔道的截面为设定形状的图形形状。
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