[发明专利]一种双栅氧的制备方法

摘要

本发明提供了一种双栅氧的制备方法，包括在半导体衬底上形成第一栅氧层；在第一栅氧层上形成硬掩膜层；在硬掩膜层上涂覆光刻胶，经光刻和刻蚀工艺，刻蚀掉光刻区域上方的光刻胶和硬掩膜层，暴露出第一栅氧层的光刻区域表面；去除光刻胶；采用湿法刻蚀工艺，将剩余硬掩膜层和暴露出的光刻区域的第一栅氧层去除掉；在剩余的第一栅氧层上，以及在对应于刻蚀区域的半导体衬底表面生长栅氧介质，从而形成厚栅氧层和薄栅氧层。本发明的方法，可以有效降低栅氧层被污染的几率，提高双栅氧的质量，并进一步提高器件的性能和可靠性。

主权项

一种双栅氧的制备方法，其特征在于，包括：步骤S01：在半导体衬底上形成第一栅氧层，所述第一栅氧层具有刻蚀区域；步骤S02：在所述第一栅氧层上形成硬掩膜层；步骤S03：在所述硬掩膜层上涂覆光刻胶，经光刻和刻蚀工艺，刻蚀掉所述第一栅氧层的刻蚀区域上方的部分所述光刻胶和所述硬掩膜层，暴露出所述第一栅氧层的刻蚀区域的表面；步骤S04：去除所述光刻胶；步骤S05：采用湿法刻蚀工艺，将剩余所述硬掩膜层和位于所述刻蚀区域的所述第一栅氧层同时去除掉；步骤S06：在剩余的所述第一栅氧层上，以及在对应于所述刻蚀区域的所述半导体衬底的表面生长第二栅氧层，从而形成厚栅氧层和薄栅氧层；其中，所述硬掩膜层的厚度为：所述第一栅氧层的厚度与所述第一栅氧层过刻蚀的厚度之和的1‑1.4倍，再减去所述硬掩膜层下方过刻蚀部分的厚度。