[发明专利]二氧化硅释放工艺有效
| 申请号： | 201410117472.5 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104944364B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 贾照伟;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种旨在抑制微细结构粘连的全新的二氧化硅释放工艺。该二氧化硅释放工艺包括：a.向工艺腔内通入催化气体；b.向所述工艺腔内通入HF气体，其中所述HF气体在所述催化气体的作用下同所述工艺腔内的二氧化硅反应；以及c.向所述工艺腔内通入F2气体或者XeF2气体，以与所述工艺腔中的H2O反应。本发明的工艺的最终产物中不含有H2O，因此一并避免了可能导致的微细结构粘连的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 释放 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种二氧化硅释放工艺，其特征在于，包括：a.向工艺腔内通入催化气体，在通入催化气体的同时从所述工艺腔的出气口抽出气体以将所述工艺腔的真空压力保持于5托至500托之间；b.向所述工艺腔内通入HF气体，其中所述HF气体在所述催化气体的作用下同所述工艺腔内的二氧化硅反应；以及c.向所述工艺腔内通入F2气体或者XeF2气体，以与所述工艺腔中的H2O反应，所述F2气体或者XeF2气体的通入量同所述步骤b中的HF气体的通入量之比大于1:2。
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