[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410112160.5 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103872141B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 須沢英臣;笹川慎也;村冈大河 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上的栅电极层；与所述栅电极层重叠的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间的栅极绝缘层；以及在所述氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层，其中，所述氧化物半导体层延伸超过所述源电极层和所述漏电极层的外侧边缘，且其中，所述氧化物半导体层的超过所述源电极层和所述漏电极层的所述外侧边缘定位的端部每个都包括台阶。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上的栅电极层和端子，所述栅电极层和所述端子由同一导电层形成；与所述栅电极层重叠的第一氧化物半导体层和与所述端子重叠的第二氧化物半导体层；在所述第一氧化物半导体层和所述栅电极层之间以及在所述端子和所述第二氧化物半导体层之间的栅极绝缘层；以及在所述第一氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层和在所述第二氧化物半导体层上的连接电极层，所述源电极层、所述漏电极层和所述连接电极层由同一导电膜形成，其中，所述第一氧化物半导体层延伸超过所述源电极层和所述漏电极层的外侧边缘，其中，所述第一氧化物半导体层的超过所述源电极层和所述漏电极层的所述外侧边缘定位的端部每个都包括台阶，其中所述第二氧化物半导体层延伸超过所述连接电极层的边缘，其中所述第二氧化物半导体层的超过所述连接电极层的所述边缘定位的端部包括台阶，其中，所述第一氧化物半导体层包括具有小厚度的区域，所述具有小厚度的区域具有比所述第一氧化物半导体层的与所述源电极层和所述漏电极层重叠的区域小的厚度，并且其中，所述具有小厚度的区域包括沟道形成区。
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